Die Möglichkeiten, Mikroprozessoren auf Siliziumbasis leistungsfähiger zu machen, indem man deren einzelne Bauteile immer kleiner macht, stossen allmählich an ihre Grenzen. Es gibt aber einen anderen vielversprechenden Weg, der zum Teil schon von der Industrie genutzt wird: Wenn man Silizium ausdehnt oder auch komprimiert, entsteht eine mechanische Spannung, die die elektronischen Eigenschaften des Materials verbessern kann. Zum Beispiel erhöht eine Zugsverspannung, wenn sie in die richtige Richtung wirkt, die Beweglichkeit der Elektronen, sodass Transistoren aus so verspanntem Silizium als Schalter deutlich schneller sind. „Es ist an sich keine Kunst, einen Draht zu verspannen – man könnte einfach an beiden Enden kräftig ziehen“, erklärt Hans Sigg vom Labor für Mikro- und Nanotechnologie am Paul Scherrer Institut „Das Problem ist, dass man einen solchen Draht in dem verspannten Zustand in ein elektronisches Bauteil einbauen muss.“

30 Nanometer breite Silizium-Brücke

Nun haben Forscher am Paul Scherrer Institut ein Verfahren entwickelt, mit dem sie Siliziumdrähte erzeugen können, die fest mit dem umgebenden Material verbunden sind und eine Spannung aufweisen, die mehr als doppelt so gross ist wie die, die in heute verfügbaren Bauteilen genutzt wird. Als Ausgangsmaterial haben sie industriell hergestellte Substrate mit leicht verspannter Siliziumschicht auf einer Siliziumoxidunterlage benützt. „Das war uns sehr wichtig, denn damit zeigen wir, dass unser Verfahren verträglich ist mit den in den Chip-Fabriken gebräuchlichen Materialien und Herstellungsverfahren“, sagt Hans Sigg. „Das Material kann man sich so vorstellen, dass das Silizium in alle Richtungen auseinandergezogen worden ist, bevor man es auf der Oxidunterlage befestigt hat“, erklärt Renato Minamisawa vom Paul Scherrer Institut, der die Experimente zusammen mit Martin Süess von der ETH Zürich durchgeführt hat. Die Unterlage hält das Silizium so stark fest, dass es sich nicht mehr zusammenziehen kann.“

Nun ätzt man geschickt gewählte Teile der Siliziumschicht und dann deren Unterlage mit entsprechenden Ätzmitteln weg, sodass schliesslich aus der Siliziumschicht ein dünner Draht entsteht, 30 Nanometer breit und 15 Nanometer dick, der nur an seinen beiden Enden mit dem Rest des Materials verbunden ist. Das Verfahren ist ein Beispiel für die Möglichkeiten moderner Nanotechnologie. So lassen sich in einer Siliziumschicht Tausende solcher Drähte mit genau vorgegebenem Spannungszustand fehlerfrei herstellen. Das Verfahren ist also sehr zuverlässig. „Und es ist skalierbar, das heisst, man kann die Teile mit diesem Verfahren im Prinzip beliebig klein machen“, betont Sigg.

Schnelle Transistoren dank extremer Verspannung

„Da sich jetzt die ganze Kraft, die sich vor dem Ätzen über einen grösseren Bereich verteilt hat, auf den Draht konzentriert, entsteht darin eine sehr starke Spannung“, so Minamisawa, „die stärkste Spannung, die man im Silizium je erzeugt hat, vermutlich fast die stärkste, die möglich ist, bevor das Material bricht.“ Um die Spannungsverteilung im Detail zu bestimmen, wurden Ramanspektroskopische Messungen und Computersimulationen im Labor für Nanometallurgie unter Ralph Spolenak an der ETH ausgeführt. In Zukunft sollen die Drähte ebenfalls an der Synchrotron Lichtquelle Schweiz des Paul Scherrer Instituts untersucht werden. Vor allem wird man aber messen wollen, wie stark sich die elektrischen Eigenschaften des Materials verbessert haben.

Das endgültige Ziel wäre, diese Silizium-Nanodrähte als schnelle Transistoren innerhalb von Mikroprozessoren zu nutzen. Dafür werden die Forscher nun mit Kooperationspartnern untersuchen, wie man diese Drähte in eine Transistorstruktur einbetten kann. Dazu muss man sie „dotieren“, also mit kleinen Mengen von Atomen anderer Elemente versehen, in ein dünnes Oxid „einpacken“ und mit metallischen Kontakten versehen. „Aber auch wenn die Drähte am Ende keine Anwendung in der Elektronik finden sollten, könnten unsere Untersuchungen doch zeigen, wo die Grenzen der Silizium-Elektronik liegen“, erklärt Minamisawa.

 

Originalveröffentlichung

Top-down fabricated silicon nanowires under tensile elastic strain up to 4.5 % R.A. Minamisawa, M.J. Süess, R. Spolenak , J. Faist, C. David, J. Gobrecht, K.K. Bourdelle & H. Sigg
Nature Communications
DOI: 10.1038/ncomms2102

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