Auf dem Weg zu neuen Leistungstransistoren
Villigen, 11.7.2018 - Von einem neuartigen Leistungstransistor aus Galliumnitrid verspricht sich die Elektronikindustrie erhebliche Vorteile gegenüber derzeit eingesetzten Hochfrequenztransistoren. Doch noch sind eine Vielzahl grundlegender Eigenschaften des Materials unbekannt. Forschende am Paul Scherrer Institut PSI haben nun erstmals den Elektronen im angesagten Transistor beim Fliessen zugeschaut. Sie nutzten dafür die weltweit leistungsfähigste Quelle für weiches Röntgenlicht an der Synchrotron Lichtquelle Schweiz SLS des PSI. Das einzigartige Experiment führten die PSI-Forschenden zusammen mit Kollegen aus Russland und Rumänien durch. Ihr Ergebnis: Wenn man den Galliumnitrid-Transistor im Hochspannungsbetrieb untersucht bewegen sich die Elektronen in bestimmte Richtungen effizienter. Diese Erkenntnis wird helfen, schnellere und leistungsfähigere Transistoren zu entwickeln – eine Grundvoraussetzung für die Umstellung unserer Kommunikationsnetze auf den kommenden 5G-Standard. Ihre Ergebnisse veröffentlichten die Forschenden nun im Fachblatt Nature Communications.